Narrow Gap Semiconductors

Riunendo ricercatori provenienti da venticinque paesi Narrow Gap Semiconductors: Proceedings of the 12th International Conference on Narrow Gap Semiconductors discute i recenti progressi e le scoperte nella scienza e nella tecnologia dei semiconduttori a gap stretto (NGS). In particolare, esplora le più recenti scoperte nella fisica fondamentale dei materiali a gap stretto e delle eterostrutture quantistiche, nonché la fisica dei dispositivi, compresi i laser nel medio e lontano infrarosso, i rivelatori e i dispositivi spintronici. Questo volume costituisce una solida presentazione in diverse importanti aree della ricerca NGS, tra cui la crescita e la caratterizzazione dei materiali, i fenomeni fisici fondamentali, i dispositivi e le applicazioni. Esamina il nuovo materiale di InAs e le sue leghe, eterostrutture e nanostrutture correlate, nonché materiali NGS più tradizionali come InSb, PbTe e HgCdTe. Diversi capitoli trattano i nanotubi di carbonio e la spintronica, insieme all'accoppiamento spin-orbita, alla non parabolicità e ai grandi fattori g. Il libro tratta anche della fisica e delle applicazioni dei fenomeni a bassa energia nell'infrarosso e nei terahertz. Continuando la tradizione di alta qualità di questa serie, Narrow Gap Semiconductors copre tutti gli aspetti dell'NGS per offrire una prospettiva autorevole ed equilibrata di questo campo in evoluzione. Lingua: Inglese