Questo è il primo libro a descrivere in modo approfondito le molte sfaccettature del drogaggio nei semiconduttori composti. Uguale enfasi è data alla fisica dei materiali fondamentale e agli aspetti tecnologici del drogaggio. L'autore descrive in dettaglio tutte le varie tecniche, tra cui il drogaggio durante la crescita epitassiale, il drogaggio per impianto e il drogaggio per diffusione. Vengono discusse le caratteristiche chiave di tutti i droganti che sono stati impiegati nei semiconduttori IIIâV. Inoltre, vengono analizzate le caratteristiche generali dei droganti, tra cui l'attività elettrica, la saturazione, l'anfoteri, l'autocompensazione e la massima concentrazione di drogante raggiungibile. Viene discusso anche l'argomento attuale dei semiconduttori altamente drogati. Vengono riassunti i livelli profondi tecnologicamente importanti. Le proprietà dei livelli profondi sono presentate fenomenologicamente. Il capitolo finale è dedicato alla caratterizzazione sperimentale delle impurezze. Lingua: Inglese